Calculadora de tensão de polarização do transistor BJT

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Insira seus valores:

Base Viés Tipo :
Volts


Rb = Resistência da base
Vin = Voltagem de entrada
Rc = Resistência do coletor
Re = Resistência do emissor
Vs = Voltagem de fornecimento
Vc = Voltagem de coletor
Ve = tensão do emissor
Vb = Tensão base
`I_b=[V_i n-Base t o Emitter Drop]/[R_b+Curren t gai n×R_e] `
Ic = Collector gain x Ib
Ve = IC x Re
Vb = Ve x Base to Emitter Drop
Vc = Vs - IC x Rc
If (Vc < Ve) then,
`V_e=[V_s×R_e]/[R_e+R_c] `
Vc = Ve
Vb = Ve + Base to Emitter Drop
`I_c=V_s/[R_e+R_c] `

Base Resistência (Rb):
K Ohms
Input tensão (Vin):
Volts
Resistência do coletor (Rc):
K ohms
Resistência do emissor (Re):
K ohms
Voltagem de fornecimento (Vs):
Volts
Ganho atual :
Base ao emissor Drop :
Volts

Resultado:

Voltagem do coletor (Vc):
Volts
Voltagem do emissor (Ve):
Volts
Voltagem base (Vb):
Volts
Voltagem de coletor (Ic):
mA
Voltagem de base (Ib):
mA

Calculadora de polarização do transistor BJT

Um transistor de junção bipolar (BJT) foi inventado em dezembro de 1947 no Bell Telephone Laboratories por John Bardeen e Walter Brattain sob a direção de William Shockley.

Um transistor de junção bipolar é um dispositivo de estado sólido no qual o fluxo atual entre doisOs terminais (o colecionador e o emissor) são controlados pela quantidade de corrente que flui através de um terceiro terminal (a base).

Um transistor de junção bipolar pode ser usado para circuitos analógicos, especialmente para aplicações de frequência muito alta, como comoCircuitos de radiofrequência para sistemas sem fio.Os transistores bipolares podem ser combinados com MOSFETs em um circuito integrado usando um processo BICMOS para criar circuitos inovadores que aproveitam as melhores características dos dois tipos de transistor.

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Sobre esta calculadora
Criado em  2024/7/21
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Autor:
Norton
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