BJT -Transistor -Vorspannungspannungsrechner

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Werte eingeben:

Basisvorspannungstyp:
Volts


Rb = Basiswiderstand
Vin = Eingangsspannung
Rc = Kollektorwiderstand
Re = Emitterwiderstand
Vs = Versorgungsspannung
Vc = Kollektorspannung
Ve = Emitterspannung
Vb = Basisspannung
`I_b=[V_i n-Base t o Emitter Drop]/[R_b+Curren t gai n×R_e] `
Ic = Collector gain x Ib
Ve = IC x Re
Vb = Ve x Base to Emitter Drop
Vc = Vs - IC x Rc
If (Vc < Ve) then,
`V_e=[V_s×R_e]/[R_e+R_c] `
Vc = Ve
Vb = Ve + Base to Emitter Drop
`I_c=V_s/[R_e+R_c] `

Basiswiderstand (Rb):
K Ohms
Eingangsspannung (Vin):
Volts
Kollektorwiderstand (Rc):
K ohms
Emitterwiderstand (Re):
K ohms
Versorgungsspannung (Vs):
Volts
Stromverstärkung:
Basis-Emitter-Spannungsabfall:
Volts

Ergebnis:

Kollektorspannung (Vc):
Volts
Emitterspannung (Ve):
Volts
Basisspannung (Vb):
Volts
Kollektorspannung (Ic):
mA
Basisspannung (Ib):
mA

BJT -Transistor -Vorspannungsrechner

Ein bipolarer Junction-Transistor (BJT) wurde im Dezember 1947 in den Bell-Telefonlabors von John Bardeen und Walter Brattain unter der Leitung von William Shockley erfunden.

Ein Bipolar-Junction-Transistor ist ein Festkörpergerät, in dem der aktuelle Fluss zwischen zwei fließtDie Terminals (der Kollektor und der Emitter) werden durch die Strommenge gesteuert, die durch ein drittes Terminal (die Basis) fließt.

Ein bipolarer Junction-Transistor kann für analoge Schaltungen verwendet werden, insbesondere für sehr hohe Frequenzanwendungen wie z.Radiofrequenzschaltungen für drahtlose Systeme.Bipolare Transistoren können mit MOSFETs in einem integrierten Schaltkreis kombiniert werden, indem ein BICMOS -Prozess verwendet wird, um innovative Schaltungen zu schaffen, die die besten Eigenschaften beider Transistor -Arten nutzen.

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Über diesen Rechner
Erstellt am  2024/7/25
Aktualisiert :
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Autor:
Hunter
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